IT之家11月10日消息，Micron美光计划在美国纽约州克莱(Clay)建设四座大型DRAM内存晶圆厂以满足美国本地对存储半导体供应日益增长的需求。不过根据本月5日公布的最终环境影响声明十大配资平台app，该项目的建设速度有所放缓。
尽管美光的前置准备（本季度启动初步场地准备）和最终目标（所有晶圆厂2041年完工、2045年底全面投产）都没有发生改变，但四座设施的具体施工起始时间均有一定程度的延后：
Fab1：原计划2025Q4动工、2028Q2末完工；现计划2026Q2动工、2030Q3完工。
Fab2：原计划2028Q3动工、2030Q4完工；现计划2030Q4动工、2033Q4完工。
Fab3：原计划2033Q3动工；现计划2035Q3动工。
Fab4：相较原计划延迟一个季度。
而由于整体晶圆厂建设进度的延后，配套托儿所、医疗和娱乐中心的施工启动时间也安排到更晚。
IT之家注意到十大配资平台app，美光在今年6月与美国政府达成的新版《CHIPS》法案协议中调整了在美DRAM产能建设顺序，将克莱园区的优先级置于总部爱达荷州博伊西的第二新晶圆厂之后。
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